“我半导体抗光腐蚀研究取得新进展”

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记者最近从内蒙古大学获悉，该校王蕾研究员率领的科研团队在半导体光腐蚀防治研究方面取得新进展，得到了国家自然科学基金等多个项目的认同。 钝化层防治bivo4光腐蚀研究的相关成果最近在国际化学期刊《德国应用化学》上发表，有助于提高太阳能制氢的光电转换效率。

王蕾研究员表示，新型清洁能源氢能本来就是新能源的研究热点，光解水制氢是获取氢能的主要技术之一，太阳能制氢的转换效率是光解水的主要性能指标。 半导体低的光吸收率和高的载流子复合率是影响转换效率的主要因素，因此如何提高光电转换效率是目前光催化研究行业的重点。

bivo4半导体由于2.4电子伏具有合适的带隙宽度、良好的光吸收性能和合适的低电位进行氢氧化的传导带位置，已成为太阳能光催化制氢行业的重要材料之一。 但是，bivo4材料的电子与空孔复合，严重影响了光伏电荷的传输，使得太阳能的光电催化性能低于理论值，并且由于光腐蚀，不能适应长时间的光解水反应。 常用的处理方法是用表面助催化剂修饰，提高半导体电荷分离效率，抑制电荷的二次复合，加速表面反应动力学。

科研小组通过改进材料制备工艺及恒电位光极化试验的做法，比较有效地提高了bivo4的活性和稳定性。 研究表明，无表面助催化剂修饰的bivo4经间歇测试可达到100小时的稳定性，表现出较强的自身治愈特征。 电化学测试表明，在半导体表面界面产生的钝化层和氧空位点的协同作用，较有效地减少了半导体电子和空空穴的复合，提高了表面的氢氧化动力学，抑制了光腐蚀。 (记者张景阳通讯员胡红波)