“芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技术”

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青岛新闻网社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片的计算速度越来越快，但随之而来的芯片发热问题困扰着行业和学术界。 复旦大学科研小组最近开发了介质电路板修饰的新技术，期待着芯片散热问题的处理。 相关研究成果在线发表在权威科学期刊《自然通讯》上。

研究表明，在一个芯片中，半导体材料与绝缘体材料之间，以六方氮化硼为材质的界面材料对其电子迁移率和散热有重要影响。 以前，研究者把它种在别的碗里移植到芯片材料上。

复旦大学聚合物分子工程国家要点实验室研究员魏大程带队开发了共形六方氮化硼修饰技术，在最低温度300的条件下，在无催化剂的情况下直接在二氧化硅/硅片( sio2/si )、石英、蓝宝石、单晶硅基板表面形成了优质的六方氮化硼 这种带来无缝效果的同形修饰技术可以明显提高芯片材料的性能。

专家表示，该技术具有很高的适应性，不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件，还可以应用于其他材料和越来越多的器件，共形六方氮化硼具有规模化生产和应用的巨大潜力。