“厉害了！第三类存储技术写入速度比目前U盘快1万倍”

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在科学技术日报(刘禹记者王春)国际半导体电荷存储技术中，一直难以兼顾“写入速度”和“非易失性”两种性能。 复旦大学微电子学院介绍，该校的张卫、周鹏教授团队开发出卓越的二维半导体准非易失性存储原型器件，开发出第三类存储技术，不仅能够实现“存储器级”的数据读写速度，还可以根据需要实现存储器的数据存储

张卫说，目前半导体电荷存储技术主要有两种，第一种是易失性存储器，例如计算机存储器，数据写入只有几纳秒左右，但在停电后数据很快消失的第二种非易失性存储器，例如u盘中，数据的写入需要

为了开发兼具两种性能的新电荷存储技术，该团队创新性地选择了多重二维半导体材料，将半浮栅结构晶体管层叠而成:二氧化钼和二硒化钨像是可以轻易封闭的栅极，容易进入电子，用于控制电荷传输 氮化硼作为绝缘层，像不透风的墙，电子难以进出，而且二硫化铪作为存储层，保存数据。 周鹏说，调节“门”和“墙”的比例，就可以控制“写速度”和“非易失性”。

这次开发的第三代电荷存储技术，写入速度比现在的u盘快1万倍，数据更新时间是内存技术的156倍，同时具有很好的可控性，可以根据需要“裁剪”数据10秒到10年。 这个新特点不仅可以大大降低高速内存的内存功耗，还可以在数据比较过期后自然消失，在特殊的应用场景中处理了机密性和传输的矛盾。

最重要的是，二维材料可以得到单层具有完美界面特征的原子级晶体，这对于集成电路装置的进一步小型化和集成度、稳定性以及新型存储器的开发具有巨大的潜力，是降低存储器功耗、提高集成度的新方法。 基于二维半导体的准非易失性存储器基于大规模合成技术实现了高密度集成，将成为未来新计算机的基础。

(责任编辑王韵)