“新金属芯片能提高存储速度百倍”

本篇文章658字，读完约2分钟

更快、更高密度的数据存储革命即将到来吗？ 英国《自然物理学》杂志近日发表的研究显示，一个美国联合研究小组利用层状碲化钨制造二维( 2d )金属芯片，其厚度仅为3原子！ 能效高，存储速度提高了一百倍以上，为新一代数据存储材料的开发奠定了基础 当今世界产生的数据比以往任何时候都多，但是现在的存储系统由于需要与技术革命相关，已经接近了大小和密度的极限。 科学家们正在研究数据的其他保存形式，包括激光蚀刻的载玻片、冰冷分子、单一氢原子、全息薄膜和dna 在这次新的研究中，美国斯坦福、加州大学伯克利分校和德克萨斯a&m大学的研究人员尝试了另一种方法。 他们开发的新系统由碲化钨金属构成，排列成极薄层，每层只有3原子的厚度 可以代替硅芯片存储数据，比硅芯片密度高、小型、高速、节能 对碲化钨薄层结构施加微小电流，使奇数层相对于偶数层产生稳定的偏移，利用奇偶层的排列存储二进制数据 数据被写入后，他们通过被称为贝利曲率的量子特性，在不干扰排列的情况下读取数据 小组指出，与现有的基于硅的数据存储系统相比，新系统具有很大的特点，即在非常节能的状态下，可以在非常小的物理空之间嵌入很多数据。 另外，由于偏移发生得非常快，所以能够使数据写入速度成为以往的100倍 目前，小组正在申请这项设计的专利 他们还在考虑以下改进措施，例如寻找碲化钨以外的其他2d材料 研究人员表示，对极薄层进行非常小的调整，会对其功能特征产生很大的影响，但人们可以利用这一知识设计新的节能设备，实现可持续快速的发展和更智能的未来存储方法。 (记者张梦然)